Produkter> IR Empfänger> 5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens

5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens

Get Latest Price
    Share:
    • Bezuelungsart: T/T,Paypal,Western Union
    • Incoterm: FOB,EXW,FCA
    • Min. Uerdnung: 5000 Piece/Pieces
    • Transport: Ocean,Land,Air
    • Port: SHENZHEN
    Supply Fäegkeet & Zousätzlech Informatioun
    Additional Information

    VerpakungKartongskëscht

    Produktivitéit1000000000 pcs/week

    TransportOcean,Land,Air

    Place of OriginChina

    Kapazitéit liwweren7000000000 pcs/week

    CertificatGB/T19001-2008/ISO9001:2008

    HS Code8541401000

    PortSHENZHEN

    BezuelungsartT/T,Paypal,Western Union

    IncotermFOB,EXW,FCA

    Produktattributer

    Model No.503PT940D-A3

    MarkBescht LED

    Verpakung & Liwwerung
    Eenheeten ze verkafen: Piece/Pieces
    Package Typ: Kartongskëscht
    Company Video
    Typ duerch Loch LED als Reelstreif
    Produkt beschreiwung

    - IR Empfänger LED -

    503PT940D-A3

    Fototransistor gëtt och PD- Diode genannt , 503PT940D-A3 ass ah ig Geschwindegkeet an héichempfindlech NPN Silizium Photo Tran Sistor. Et hunn aner ähnlech Produkter - Fotodiode. Da wat ass dat anescht wéi Fotodiode a Fototransistor? Typesch kann de Fototransistor méi grouss Ausgab kréien wéi d' Fotodiod. P hototransistor ass vu Milliampere Niveau. Fototransistor donkele Stroum ass méi grouss. Photodiode Reaktiounszäit ass méi kuerz, p Hototransistor Reaktiounszäit ass manner wéi 100 Nanosekonnen, p Hototransistor Reaktiounszäit ass manner wéi 5-20 Mikrosekonnen. Photodiode Linearitéit ass besser, p Hototransistor Linearitéit ass méi schlëmm. Awer PT Chip Gréisst ass kleng, Käschte sinn niddereg, p Hototransistor Käschte sinn héich. Phototransistor Tube ass méi ufälleg fir den Afloss vun der Ëmgéigend Temperatur, Fotostreamungsschwankung ass grouss. De Liichtingang vum Phototransistor ass liicht saturéiert, wat mat sengem héije Verstärkungsfaktor ze dinn huet. Phototransistor kann benotzt ginn fir reflektéieren a liicht Geleeënheeten ze kréien. Photodiode Tube ass normalerweis direkt Liicht. 503PT940D-A3 ass e Fototransistor deen en 20 Grad Wénkel huet.

    940nm ir LED Receiver

    - Size: 5.0*H8.7mm

    - Chip Number:1 chips

    - Color: 940nm 

    - Type: Black

    - Chip brand: tyntek


    - Different color are available

    - Different wavelength are available

    - Warranty: 5 Years

    - RoHS, REACH, EN62471

    - Uniform light output

    - Long life-solid state reliability

    - Low Power consumption

    -Anti UV epoxy resin package

    -High temperature resistance






    - Gréisst vu 5 mm IR Duerch-Loch LED -

    5mm led

    * Dës Gréisst sinn och verfügbar fir aner LED, wéi UV LED, IR LED (810nm LED, 850nm LED ...), Amber LED, Giel LED, RGB LED, Blinkend LED Luuchten *

    - Schaffen Duerch-Lach IR Receiver LED -

    PT940 led

    * Faarwen op der Foto goufe mat der Kamera gemaach, huelt w.e.g. déi tatsächlech Emittendefaarf als Standard.

    - Duerch-Lach IR Receiver LED Parameter -

    Parameter

    Symbol

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    Test Condition

    Collector-Emitter Voltage

    VCEO

    30 V

    Emitter-Collector Voltage

    VECO

    6.5 V

    Collector Dark Current

    ICEO


    100

    nA

    VCE=20V

    Ee=0mw/cm2

    Collector-Emitter

    Breakdown Voltage

    Bvceo

    30

    100

    V

    ICBO=100uA

    Ee=0mw/cm2

    Emitter-Collector

    Breakdown Voltage

    Bvceo

    6


    V

    IECO=10uA

    Collector-Emitter

    Saturation Voltage

    VCE(sat)


    0.4

    V

    IC=2mA

    IB=100uA

    Ee=1mw/cm2

    Photocurrent 1

    IPCE

    30


    90

    uA

    Vce=5V

    Ee=1mw/cm2

    λP=850nm

    Photocurrent 2

    IPCE 90
    270 uA

    VCE=5V

    Ee=1mw/cm2

    λP=940nm

    Current gain

    hFE

    270


    900

    uA

    VCE=5V

    IC=2mA

    Wavelenghth of Peak Sensitivity

    λP 940


    nm


    Range of Spectral Bandwidth

    λ0.5

    400


    1100

    nm


    Response Time-Rise Time

    tR

    15

    us

    Vce=5v

    Ic=1mA

    RL=1000Ω

    Response Time-Fall Time

    tF
    15
    us

    Half Sensitivity angle

    △λ

    ±10

    deg

    Collector-base Capacitance

    CCB

    8 PF F=1MHz,VCB=3V

    - Golden Drot Verbindung -

    infrared led

    * Fir all d'LED Liewensdauer ze halen, benotzt d'BestLED Fabréck héich reng Golddrot fir bannenzeg Circuitverbindung

    - IR LED Verpackung -

    5mm 940nm led 2

    * Mir kënnen dës LED mat all Zuel vu Packagen packen an d'LED Pins als Är Ufuerderung getippt oder béien.

    - Zesummenhang IR LED -

    940 nm LED

    - Produktiounsprozess -

    LED LAMP

    - T rough-hole IR LED -

    Through -hol led




    GET IN TOUCH
    If you have any questions our products or services,feel free to reach out to us.Provide unique experiences for everyone involved with a brand.we’ve got preferential price and best-quality products for you.
    Please fill in the information
    * Please fill in your e-mail
    * Please fill in the content
    Category: IR Empfänger
    Produkter> IR Empfänger> 5mm Fototransistor (Detektor) IR Empfänger Black Lens
    Enquête kontaktéieren
    *
    *

    Mir kontaktéieren Iech immediaat

    Fëllt méi Informatioun aus fir datt dat méi séier a Kontakt kënnt

    Privatsphär Ausso: Är Privatsphär ass ganz wichteg fir eis. Eis Firma versprécht Är perséinlech Informatioun un all Expany mat all explizit Permissiounen ze verroden.

    Schécken