შეფუთვა: Მუყაოს ყუთი
პროდუქტიულობა: 1000000000 pcs/week
ტრანსპორტირება: Ocean,Land,Air
წარმოშობის ადგილი: ჩინეთი
მიწოდება უნარი: 7000000000 pcs/week
სერტიფიკატი: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS კოდექსი: 8541401000
პორტი: SHENZHEN
გადახდის ტიპი: T/T,Paypal,Western Union
ინკოტერმი: FOB,EXW,FCA
მოდელი ნომერი.: 503IRBT-85L/14I100-45A
ბრენდი: საუკეთესო LED
მომარაგების ტიპი: ორიგინალი მწარმოებელი
საცნობარო მასალები: ფოტო, მონაცემთა ფურცელი
წარმოშობის ადგილი: ჩინეთი
სახეობები: LED
პაკეტის ტიპი: ხვრელის საშუალებით
Wavelength: 850nm
Power: 0.3W
Application: Electronic Products
Luminous Intensity: High Directivity
Formation: Gold Thread
Type: Infrared LED
Current: 100mA
Inner Packing: Anti-static Bag
Voltage: 1.5-2.0V
Polarity: Short Pin Mark Cathode
Type Of Lens: Blue Lens
Beam Width: 45 Degree
Antistatic Bag: 1000PCS/Bag
Radiation Intensity: 28-45mw/sr
| გაყიდვის ობიექტები: | Piece/Pieces |
|---|---|
| პაკეტის ტიპი: | Მუყაოს ყუთი |
|
- Size: 5.0*H8.7mm - Chip Number:1 chips - Color: 850nm - Type: Blue clear - Chip brand: Tyntek |
- Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
*ფოტოზე ფერები გადაღებულია კამერით, გთხოვთ, მიიღოთ ფაქტობრივი გამოსხივების ფერი, როგორც სტანდარტული.
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები TA = 25 ℃
|
Parameter |
Symbol |
Rating |
|
Power Dissipation |
Pd |
200mW |
|
Pulse Forward Current |
IFP |
1000mA |
|
Forward Current |
IF |
100mA |
|
Reverse Voltage |
VR |
5V |
|
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
|
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
|
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
|
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
|
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
2000v |
|
Warranty |
Time |
5Years |
|
Antistatic bag |
Piece |
1000Back |
|
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
|
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
||
ოპტიკური და ელექტრული მახასიათებლები ( T C = 25 ℃ )
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
Forward Voltage |
VF |
1.5 |
|
2 |
V |
IF=100mA |
|
Pulse Forward Voltage |
VF |
|
2.8 |
|
V |
IFP=1000mA |
|
Radiant Intensity |
IE |
40 |
|
70 |
mw/sr |
IF=100mA |
|
Peak Wavelength |
λP |
840 |
850 |
860 |
nm |
IF=100mA |
|
Total Radiated Power |
PO |
|
12 |
|
mw |
IF=100mA |
|
Half Width |
Dl |
|
50 |
|
nm |
IF=100mA |
|
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±22 |
|
deg |
IF=100mA |
|
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
|
Rise Time |
Tr |
|
25 |
|
ns |
IF=100mA |
|
Fall Time |
Tf |
|
13 |
|
ns |
IF=100mA |
|
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
||||||
|
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
||||||
|
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
||||||
* იმისათვის
კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.
შეავსეთ დამატებითი ინფორმაცია, რომ უფრო სწრაფად დაგიკავშირდეთ
კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.
Contact Now