- 940nm მიუხედავად იმისა, რომ ხვრელი IRLED -

განსხვავებული კუთხე გახდის განსხვავებულ განათების შედეგს, რაც უფრო ვიწრო სხივის სიგანეა, მით უფრო გრძელია რადიაციული მანძილი. ამის საპირისპიროდ, ფართო სხივის სიგანე, მით უფრო დიდია განათების ზედაპირი. საუკეთესო LED ქარხანაში გაქვთ ხედვის სახის კუთხე, რომ აირჩიოთ რომელიმე მათგანი თქვენი აპლიკაციისთვის. ბაზარზე, უმეტესობა ღამის ხედვის კამერისთვის იყენებს 850nm LED ან 940nm LED- ს. ალბათ გაინტერესებთ, 810 ნმ დიოდური LED ვერ მუშაობს ამაზე? ნდობა არის, რომ ეს 810 ნმ LED- ს გამოყენება არა მხოლოდ ღამის ხედვის მოწყობილობაში შეიძლება, არამედ უკეთესად მუშაობს, ვიდრე 850 ნმ LED- ს. რომელსაც შეუძლია შეცვალოს 850 ნმ LED და დაამატოს ხალხის სახის ამოცნობა. ისევე, როგორც მთლიანი ხვრელიანი LED- ით, ამ 810 ნმ ინფრაწითელი LED ნათურები ასევე თქვენს ხედვას წარმოადგენს: 5 ხარისხის 810nm LED, 20 ხარისხი 810nm LED, 30 ხარისხი 810nm LED, 60 ხარისხი 810nm LED, 90 ხარისხი 810nm LED და ა.შ. ჩვეულებრივ, 940 ნმ LED შეფუთული იქნება 5 მმ-იანი ხვრელიანი LED ზომის ან სხვა SMD LED კორპუსით. მაგრამ ზოგიერთი პროექტისთვის, ადამიანმა უნდა გამოიყენოს უფრო დიდი ობიექტივი, რომ გაზარდოს გამოსხივებული არე. გჭირდებათ რამდენიმე 810 ნმ LED უფრო კონკურენტუნარიანი ფასით? დაგვიკავშირდით ახლავე!

- 3 მმ IR ხვრელიანი LED– ის ზომა -

* ეს კორპუსი ასევე ხელმისაწვდომია სხვა LED– ებისთვის, როგორიცაა: 5 მმ მწვანე ხვრელიანი LED, UV LED, 660nm LED, 940nm LED, 5mm blue blue hole-hole LED, yellow LED, amber LED ect *

- სამუშაო ხვრელით IR LED -

* ფოტოზე ფერები გადაღებულია კამერით, გთხოვთ, აიღოთ ფაქტიურად გამომავალი ფერი სტანდარტულად.

- ხვრელიანი IR LED პარამეტრი -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			30	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector Dark Current	ICEO			150	uA	VCE=70V Ee=0mw/cm2
On State Collector Current	IC(on)		0.7	4	mA	Ee=1mw/cm2 Vce=5v
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	85			V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	8.2			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.3	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	300		400	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	500		600	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	2000		3000	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		940		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	700		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

* იმისათვის, რომ შეინარჩუნოთ LED- ის ხანგრძლივობა, BestLED ქარხანა გამოიყენებს მაღალ სუფთა ოქროს მავთულს წრიული კავშირისთვის

- IR LED შეფუთვა -

* ჩვენ შეგვიძლია შევალაგოთ ეს LED ნებისმიერი რაოდენობის პაკეტით და ჩავწეროთ ან მოვახვიოთ LED პინები, როგორც თქვენი მოთხოვნა.

- დაკავშირებული ინფრაწითელი LED -

- Წარმოების პროცესი -

- T hrough-hole IR LED -