Paket: Karton quti
Hosildorlik: 1000000000 pcs/week
Tashish: Ocean,Land,Air
Kelib chiqishi: Xitoy
Ta'minot qobiliyati: 7000000000 pcs/week
Sertifikat: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS kodi: 8541401000
Port: SHENZHEN
To'lov turi: T/T,Paypal,Western Union
Inkoerm: FOB,EXW,FCA
Model raqami: 503PT940D-A3
Tovar: Eng yaxshi LED
| Sotish birliklari: | Piece/Pieces |
|---|---|
| Paket turi: | Karton quti |
503PT940D-A3
Phototransistor ham PD diyot, deb ataladi 503PT940D-A3 h tezlik va yuqori sezgir NPN kremniy foto Tran sistor IG ah bo'ladi. Boshqa shunga o'xshash mahsulot - fotodiod ham mavjud. Keyin fotodiod va fototransistordan nimasi farq qiladi? Odatda foto tranzistor fotodioddan kattaroq chiqishga ega bo'lishi mumkin . P hototransistor milliamper darajasida. Fototransistorning quyuq oqimi kattaroqdir. Fotodiodning reaktsiya vaqti qisqaroq, p hototransistorning javob vaqti 100 nanosekunddan kam , p hototransistorning javob vaqti 5-20 mikrosaniyadan kam. Fotodiodning lineerligi yaxshiroq, p hototransistorning linearligi yomonroq, ammo PT chipining hajmi kichik, narxi past, p hototransistorining qiymati yuqori. Fototransistor naychasi atrof-muhit harorati ta'siriga ko'proq ta'sir qiladi, fototokning o'zgarishi katta. Fototransistorning yorug'lik kiritilishi osongina to'yingan, bu uning yuqori kuchaytirish faktori bilan bog'liq. Fototransistor yorug'lik holatlarini aks ettirish va qabul qilish uchun ishlatilishi mumkin. Fotodiod naychasi odatda to'g'ridan-to'g'ri nurni qabul qiladi. 503PT940D-A3 - 20 daraja ko'rish burchagi bo'lgan fototransistor .
|
- Size: 5.0*H8.7mm - Chip Number:1 chips - Color: 940nm - Type: Black - Chip brand: tyntek |
- Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
* Ushbu o'lcham boshqa LEDlar uchun ham mavjud, masalan, UV LED, IR LED (810nm LED, 850nm LED ...), sarg'ish LED, sariq LED, RGB LED, miltillovchi LED lampalar. *
* Fotosuratdagi ranglar kameralar yordamida olingan, iltimos, haqiqiy yorug'lik rangini standart sifatida oling.
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
6.5 | V |
|
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
100 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
|
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
30 |
100 |
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
|
|
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
6 |
|
V |
IECO=10uA |
|
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
0.4 |
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
|
|
Photocurrent 1 |
IPCE |
30 |
|
90 |
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
|
Photocurrent 2 |
IPCE | 90 |
|
270 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
|
Current gain |
hFE |
270 |
|
900 |
uA |
VCE=5V IC=2mA |
|
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP | 940 |
|
nm |
|
|
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
400 |
|
1100 |
nm |
|
|
Response Time-Rise Time |
tR |
15 |
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
||
|
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
|
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
- Oltin simli ulanish -
* LEDning har birini uzoq umr ko'rish uchun BestLED zavodi ichki elektron ulanish uchun yuqori toza oltin simdan foydalanadi
* Biz ushbu LEDni istalgan miqdordagi paketlar bilan to'plashimiz va sizning talabingizga binoan LED pinlarini yopishtirishimiz yoki bükmekimiz mumkin.
Maxfiylik bayonnomasi: Sizning shaxsiy hayotingiz biz uchun juda muhim. Bizning kompaniyamiz sizning shaxsiy ma'lumotlaringizni aniq ruxsatlaringiz bilan ekspluatatsiya qilishni taklif qilmaslikni va'da qiladi.
Siz bilan tezroq bog'lanishingiz uchun ko'proq ma'lumotni to'ldiring
Maxfiylik bayonnomasi: Sizning shaxsiy hayotingiz biz uchun juda muhim. Bizning kompaniyamiz sizning shaxsiy ma'lumotlaringizni aniq ruxsatlaringiz bilan ekspluatatsiya qilishni taklif qilmaslikni va'da qiladi.
Contact Now