ambalare: Cutie de carton
Productivitate: 1000000000 pcs/week
Transport: Ocean,Land,Air
Locul de origine: China
Abilitatea de alimentare: 7000000000 pcs/week
Certificat: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
Codul SA: 8541401000
Port: SHENZHEN
Tipul de plată: T/T,Paypal,Western Union
Incoterm: FOB,EXW,FCA
Numarul modelului.: 503IRBT-85L/12I60-45A
Marca: Cel mai bun LED
Tip De Aprovizionare: Producător original
Materiale De Referinta: fișa cu date, Fotografie
Locul De Origine: China
Specii: LED
Tip De Pachet: Prin gaura
Wavelength: 850nm
Power: 0.2W
Certification: RoHs
Luminous Intensity: High Directivity
Formation: Gold Thread
Type: Infrared LED
Current: 60mA
Radiation Intensity: 20-30mw/sr
Polarity: Short Pin Mark Cathode
Type Of Lens: Blue Lens
Beam Width: 45 Degree
Antistatic Bag: 1000PCS/Bag
Voltage: 1.6V
| Unități de vânzare: | Piece/Pieces |
|---|---|
| Tip pachet: | Cutie de carton |
|
- Size: 5.0*H8.7mm - Chip Number:1 chips - Color: 850nm - Type: Blue clear - Chip brand: Tyntek |
- Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
*Culorile din fotografie au fost făcute de aparatul foto, vă rugăm să luați culoarea eficientă ca standard.
Evaluări maxime absolute la TA = 25 ℃
|
Parameter |
Symbol |
Rating |
|
Power Dissipation |
Pd |
80mW |
|
Pulse Forward Current |
IFP |
1000mA |
|
Forward Current |
IF |
60mA |
|
Reverse Voltage |
VR |
5V |
|
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
|
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
|
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
|
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
|
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
2000v |
|
Warranty |
Time |
5Years |
|
Antistatic bag |
Piece |
1000Back |
|
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
|
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
||
Caracteristici optice și electrice ( T C = 25 ℃ )
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
Forward Voltage |
VF |
1.5 |
|
1.9 |
V |
IF=50mA |
|
Pulse Forward Voltage |
VF |
|
2.6 |
|
V |
IFP=500mA |
|
Radiant Intensity |
IE |
20 |
|
30 |
mw/sr |
IF=50mA |
|
Peak Wavelength |
λP |
840 |
850 |
860 |
nm |
IF=50mA |
|
Total Radiated Power |
PO |
|
6 |
|
mw |
IF=50mA |
|
Half Width |
Dl |
|
50 |
|
nm |
IF=50mA |
|
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±22 |
|
deg |
IF=50mA |
|
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
|
Rise Time |
Tr |
|
25 |
|
ns |
IF=50mA |
|
Fall Time |
Tf |
|
13 |
|
ns |
IF=50mA |
|
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
||||||
|
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
||||||
|
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
||||||
Declarație de confidențialitate: Confidențialitatea dvs. este foarte importantă pentru noi. Compania noastră promite să nu vă dezvăluie informațiile personale pentru nicio expansiune cu permisiunile dvs. explicite.
Completați mai multe informații, astfel încât să poată lua legătura cu tine mai repede
Declarație de confidențialitate: Confidențialitatea dvs. este foarte importantă pentru noi. Compania noastră promite să nu vă dezvăluie informațiile personale pentru nicio expansiune cu permisiunile dvs. explicite.
Contact Now