- 660nm LED -

5050FRC-66L / 14

0.2W SMD LED 5050 3 mikroshēmas 660nm LED ir dziļi sarkanu gaismas diodi, ko plaši izmanto skaistumkopšanas nozarē, augu augšanā, gaismas papildinājumā vai dažās citās īpašās lietojumprogrammās. 660nm LED izmaksu dēļ šie sarkanie LED nav ļoti populāri LED apgaismojuma projektā vai LED lampā. Tomēr 660 nm LED joprojām ir populārs, jo tas ir efekts. Salīdzinot ar cauruma cauruma LED ar 660nm, 660nm SMD LED iegūs labāku veiktspēju siltuma izkliedēšanā. No otras puses, SMD LED ieguva arī mazāku izmēru nekā caurumu LED, ko ir vieglāk ievietot PCB plāksnē un automātiskajā metināšanas mašīnā. Kā mēs zinām, 5050 SMD LED ir trīs pozīcijas. Tā 5050 SMD LED korpuss var būt iepakots 3 mikroshēmās iekšpusē. Dažiem projektiem tikai viena mikroshēma nevar sasniegt šo prasību. Lai palielinātu vienas gaismas diodes jaudu un starojumu, mēs to iesaiņosim ar 3 vienādām LED mikroshēmām 5050 SMD LED, lai sasniegtu spēcīgāku starojumu vai spilgtumu. Ir vairāki LED mikroshēmu veidi, kurus var iepakot vienā 5050 SMD LED, kas var būt 3 dažādas mikroshēmas vai 3 vienas un tās pašas mikroshēmas. Tas pilnībā atbilst jūsu prasībām. Ja viena atsevišķa 660 nm LED mikroshēma nevar izpildīt jūsu prasības, šī neļaus jums vilties. Vienmērīga gaismas jauda, ​​ilga mūža cietvielu drošība un zems enerģijas patēriņš ir visas šīs 3 mikroshēmas 660nm SMD LED priekšrocības. Sazinieties ar mums, lai iegūtu sīkāku informāciju par to ~

- izmēru parametri

Šie SMD LED korpusi ir pieejami arī infrasarkanajiem LED, UV LED, zilajiem SMD LED, sarkanajiem SMD LED, dzintara LED utt.

- izstaro krāsu -

- elektriskie parametri -

Absolūtais maksimālais vērtējums pie Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	180mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	60mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Optiskās un elektriskās īpašības ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8	1.9	2.3	V	IF=60mA
		1.9	2.1	2.4	V	IF=180mA
		2.0	2.2	2.5	V	IF=300mA
Luminous Intensity	ΦVI	2.7		3.8	lm	IF=60mA
		9		13	lm	IF=180mA
		12		18	lm	IF=300mA
Lumiuous Power	PO	35		55	mw	IF=60mA
		120		180	mw	IF=180mA
		200		300	mw	IF=300mA
Peak Wavelength	λP	655	660	665	nm	IF=60mA
Dominant Wavelenth	λd	640	645		nm	IF=60mA
Half Width	Dl		17		nm	IF=60mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=60mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Zelta stieples savienojums -

- Iepakojums -

* Mēs to iesaiņojam ar vakuuma iepakojumu pēc lentes kā ruļļa

- Pieteikums -

- Saistītā sarkanā LED

- Ražošana -

- 660nm SMD LED izmantošana -