- 940nm, nors skylė IRLED -

Skirtingas kampas suteiks skirtingą apšvietimo rezultatą, kuo siauresnis spindulio plotis, tuo didesnis spinduliavimo atstumas. Priešingai, pateikiamas platesnis šviesos plotis, tuo didesnė apšvietimo paviršiaus plotas. Jūsų pasirinktoje „Best LED“ gamykloje yra įvairių matymo kampų, kad galėtumėte pasirinkti bet kurį iš jų savo programai. Rinkoje dauguma žmonių naktinio matymo kamerai naudoja 850 nm arba 940 nm LED. Tada jums gali kilti klausimas, ar 810nm šviesos diodas negali tam dirbti? Pasitikima, kad šie 810nm šviesos diodai ne tik gali būti naudojami naktinio matymo prietaisuose, bet ir gali veikti geriau nei 850nm LED. Kuris gali pakeisti 850 nm LED ir pridėti žmonėms veido atpažinimo funkciją. Šis 810 nm infraraudonųjų spindulių LED šviestuvas, kaip ir visas kiauryminis LED, taip pat gali žiūrėti įvairiais būdais: 5 laipsnių 810 nm LED, 20 laipsnių 810 nm LED, 30 laipsnių 810 nm LED, 60 laipsnių 810 nm šviesos diodų, 90 laipsnių 810 nm šviesos diodų ir kt. Paprastai 940nm šviesos diodai bus supakuoti su 5 mm skylės LED dydžiu arba kitu SMD LED dėklu. Tačiau įgyvendinant projektą žmonės turi naudoti didesnį objektyvą, kad padidintų spinduliavimo plotą. Ar jums reikia 810nm šviesos diodų su konkurencingesne kaina? Susisiekite su mumis dabar!

- 3 mm infraraudonųjų spindulių kiaurymės šviesos diodo dydis -

* Ši byla taip pat yra su kitais šviesos diodais, tokiais kaip: 5 mm žalios spalvos skylės LED, UV šviesos diodų, 660 nm LED, 940 nm šviesos diodų, 5 mm mėlynos skylių šviesos diodų, geltonos šviesos diodų, gintaro šviesos diodų ir kt. *

- Darbinis kiauryminis IR LED -

* Nuotraukoje spalvos buvo paimtos fotoaparatu. Prašome standartiškai pasirinkti tikrąsias spinduliuojančias spalvas.

- Kiauryminis IR LED parametras -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			30	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector Dark Current	ICEO			150	uA	VCE=70V Ee=0mw/cm2
On State Collector Current	IC(on)		0.7	4	mA	Ee=1mw/cm2 Vce=5v
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	85			V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	8.2			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.3	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	300		400	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	500		600	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	2000		3000	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		940		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	700		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

* Siekdama išlaikyti ilgą šviesos diodų tarnavimo laiką, „BestLED“ gamykla grandinės jungimui naudoja labai gryno aukso vielą

IR LED pakavimas -

* Mes galime supakuoti šį šviesos diodą su bet kokiu pakuočių skaičiumi ir priklijuoti arba sulenkti LED kaiščius kaip jūsų reikalavimus.

- Susijęs infraraudonųjų spindulių LED

- Gamybos procesas -

- kiauryminis IR šviesos diodas -