შეფუთვა: Მუყაოს ყუთი
პროდუქტიულობა: 1000000000 pcs/week
ტრანსპორტირება: Ocean,Land,Air
წარმოშობის ადგილი: ჩინეთი
მიწოდება უნარი: 7000000000 pcs/week
სერტიფიკატი: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS კოდექსი: 8541401000
პორტი: SHENZHEN
გადახდის ტიპი: T/T,Paypal,Western Union
ინკოტერმი: FOB,EXW,FCA
მოდელი ნომერი.: U5293IRC-94L & U5293PTD
ბრენდი: საუკეთესო LED
| გაყიდვის ობიექტები: | Piece/Pieces |
|---|---|
| პაკეტის ტიპი: | Მუყაოს ყუთი |
U5293IRC-94L და U5293PTD
ინფრაწითელი სინათლის დიოდების ზოგიერთი გამოყენების შემთხვევაში, ხალხს ასევე დასჭირდება IR მიმღები სიგნალის მისაღებად. SHENZHEN საუკეთესო LED ოპტოელექტრონული კომპანია, შპს არა მხოლოდ აწარმოებს IR LED- ს, არამედ ასევე შეუძლია სხვადასხვა ფორმის IR მიმღების მომარაგება. რაც ნიშნავს, რომ ჩვენს ქარხანაში შეგიძლიათ ერთდროულად შეუკვეთოთ ინფრაწითელი გამშვები და დეტექტორები this ამ U5293IRC-94L და U5293PDD– სთვის, ერთი ინფრაწითელი სხივის გამოსხივებისთვის და მეორე სიგნალის მისაღებად. ორივე ამ LED წყვილისთვის ჩვენ ვათავსებთ მას ახალი LED ჩიპით ტაივანიდან და ვუკავშირდებით შიდა სქემას სუფთა ოქროს მავთულით. U5293IRC-94L არის ინფრაწითელი LED, რომელსაც შეუძლია გამოუშვას 940 ნმ ტალღის სიგრძე, ჩვენ მას ვათავსებთ ჩალის ქუდის თავზე ისე, რომ მას ხედვის უფრო ფართო კუთხე ჰქონდეს. იგივეა, რაც U5293PDD, ამ ჩალის ქუდიანი ზედაპირით, მას შეუძლია მიიღოს უფრო დიდი მიმღები. გჭირდებათ ინფრაწითელი LED წყვილი თქვენი პროექტისთვის? დამატებითი ინფორმაციისთვის დაგვიკავშირდით
|
- Size: 4.8mm*H4.85mm - Chip Number: 1 chip - Color: 940nm IR led&IR Receiver - Type: Dual in-line package - Chip brand: Tyntek |
- Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
- განზომილების პარამეტრები -
ეს ხვრელიანი LED კორპუსი ასევე ხელმისაწვდომია UV LED, 570nm მწვანე LED, Amber LED, IR LED, მეშვეობით ხვრელი ლურჯი LED, ყვითელი LED ect.
* ფოტოზე ფერები გადაღებულია კამერით, გთხოვთ, აიღოთ ფაქტიურად გამომავალი ფერი სტანდარტულად.
- ელექტრული პარამეტრები -
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგი Ta = 25 At -ზე
|
Parameter |
Symbol |
Rating |
|
Power Dissipation |
Pd |
100mW |
|
Pulse Forward Current |
IFP |
500mA |
|
Forward Current |
IF |
50mA |
|
Reverse Voltage |
VR |
5V |
|
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
|
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
|
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
|
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
|
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
2000v |
|
Warranty |
Time |
5Years |
|
Antistatic bag |
Piece |
1000Back |
|
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
|
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
||
ოპტიკური და ელექტრო მახასიათებლები (T c = 25 ℃)
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
Forward Voltage |
VF |
1.1 |
|
1.4 |
V |
IF=50mA |
|
Pulse Forward Voltage |
VF |
|
|
3
|
V |
IFP=500mA |
|
Radiant Intensity |
IE |
5 |
|
12 |
mw/sr |
IF=50mA |
|
Peak Wavelength |
λP |
930 |
940 |
950 |
nm |
IF=50mA |
|
Total Radiated Power |
PO |
|
28 |
|
mw |
IF=50mA |
|
Half Width |
Dl |
|
50 |
|
nm |
IF=50mA |
|
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±60 |
|
deg |
IF=50mA |
|
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
|
Rise Time |
Tr |
|
25 |
|
ns |
IF=50mA |
|
Fall Time |
Tf |
|
13 |
|
ns |
IF=50mA |
|
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
||||||
|
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
||||||
|
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
||||||
1206 smd მიმღები
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
5 | V |
|
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
30 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
150 | uA |
VCE=70V Ee=0mw/cm2 |
|
On State Collector Current |
IC(on) |
|
0.7 |
4
|
mA |
Ee=1mw/cm2 Vce=5v |
|
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
85 |
|
|
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
|
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
8.2 |
|
V |
IECO=10uA |
|
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
|
0.3
|
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
|
Photocurrent 1 |
IPCE |
300
|
|
400
|
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
|
Photocurrent 2 |
IPCE | 500 |
|
600 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
|
Current gain |
hFE |
2000
|
|
3000
|
uA |
VCE=5V IC=2mA |
|
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP |
|
940
|
|
nm |
|
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
700
|
|
1100
|
nm |
|
|
Response Time-Rise Time |
tR |
|
15 |
|
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
|
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
|
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
- შეფუთვა -
* ჩვენ ვაკუუმური შეფუთვით შევფუთავთ მას შემდეგ, რაც ფირს გავაფენთ
- განცხადება -
- დაკავშირებული LED -
- წარმოება -
- 840nm IR LED გამოყენება -
კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.
შეავსეთ დამატებითი ინფორმაცია, რომ უფრო სწრაფად დაგიკავშირდეთ
კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.
Contact Now