შეფუთვა: Მუყაოს ყუთი
პროდუქტიულობა: 1000000000 pcs/week
ტრანსპორტირება: Ocean,Land,Air
წარმოშობის ადგილი: ჩინეთი
მიწოდება უნარი: 7000000000 pcs/week
სერტიფიკატი: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
HS კოდექსი: 8541401000
პორტი: SHENZHEN
გადახდის ტიპი: T/T,Paypal,Western Union
ინკოტერმი: FOB,EXW,FCA
მოდელი ნომერი.: 8080IRC-94L42I1A-ES-60D
ბრენდი: საუკეთესო LED
| გაყიდვის ობიექტები: | Piece/Pieces |
|---|---|
| პაკეტის ტიპი: | Მუყაოს ყუთი |
8080IRC-94L42I1A-ES-60D
დღეისათვის, ინფრაწითელი LED ნათურები ბაზარზე ასევე ცნობილია, როგორც ინფრაწითელი ემისიის მილები ან ინფრაწითელი ნათურები, რომელთა ტალღის სიგრძეა 850nm LED და 940nm LED. ეს 3W 940nm ინფრაწითელი LED გამოიმუშავებს უამრავ გათბობას, რათა შეინარჩუნოს დაბალი განათება და გახანგრძლივდეს სიცოცხლის ხანგრძლივობა, ამ High Power IR LED– ებმა უნდა შეფუთონ SMD LED– ის ზოგიერთ შემთხვევაში, რაც მაღალი ეფექტურობაა სითბოს დისპეტჩერიზაციისას. როგორც სურათზე ხედავთ, ჩვენ შევალაგეთ ეს მაღალი სიმძლავრის 940nm LED ჩიპი SMD LED კორპუსით, რომელსაც აქვს კუპერის ჩაძირვა ქვედა ნაწილში, რაც დარწმუნდება, რომ ამ SMD LED კორპუსს შეუძლია დროულად გაგზავნოს ზედმეტი სითბო და დაიცვას IR LED მაღალი ტემპერატურის სამუშაო სიტუაცია. გჭირდებათ მაღალი სიმძლავრის 3W 940nm LED თქვენი აპლიკაციისთვის? დაგვიკავშირდით ამის შესახებ უფრო დეტალურად!
|
- Size: 8*H5.4mm - LED Chip Size: 45mil
- Color: 940nm LED - Lens type: Clear - Chip brand: Epistar |
- Different color are available - Warranty: 5 Years - Different wavelength are available
- RoHS, REACH, EN62471
- Uniform light output |
- Low Power consumption - Long life-solid state reliability - Anti UV epoxy resin package - High temperature resistance |
- განზომილების პარამეტრები -
* 1 ყველა ზომები მილიმეტრებშია; 2. ტოლერანტობა არის ± 0,10 მმ, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული.
ლურჯი ხვრელიანი LED, IR LED 5 მმ წყლის გასუფთავებული ობიექტივით.
- ელექტრული პარამეტრები -
|
Parameter |
Symbol |
Rating |
|
Power Dissipation |
Pd |
3000mw |
|
Pulse Forward Current |
IFP |
2000mA |
|
Forward Current |
IF |
1000mA |
|
Reverse Voltage |
VR |
5V |
|
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
|
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
|
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
|
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
|
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
3000v |
|
Warranty |
Time |
5Years |
|
Antistatic bag |
Piece |
1000Bag |
|
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
|
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
||
|
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
|
|
Forward Voltage |
VF |
1.4 |
1.6 |
1.8 |
V |
IF=350mA |
|
|
|
2 |
3 |
V |
IF=1000mA |
|||
|
|
4.5 |
V |
IFP=2000mA |
||||
|
Radiant Intensitye |
Ee |
|
180 |
250 |
mw/sr |
IF=350mA |
|
|
|
550 |
750 |
IF=1000mA |
||||
|
|
1000 |
|
IF=2000mA |
||||
|
Peak Wavelength |
λP |
930 |
940 |
960 |
nm |
IF=20mA |
|
|
Half Width |
Dl |
|
25 |
|
nm |
IF=20mA |
|
|
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±60 |
|
deg |
IF=20mA |
|
|
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
|
|
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
|||||||
|
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
|||||||
|
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
|||||||
- შეფუთვა -
- განცხადება -
- დაკავშირებული IR LED -
- წარმოება -
- ყურადღება -
კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.
შეავსეთ დამატებითი ინფორმაცია, რომ უფრო სწრაფად დაგიკავშირდეთ
კონფიდენციალურობის შესახებ განცხადება: თქვენი კონფიდენციალურობა ჩვენთვის ძალიან მნიშვნელოვანია. ჩვენი კომპანია გვპირდება, რომ არ გაამჟღავნოს თქვენი პირადი ინფორმაცია ნებისმიერ ექსპოზიციაზე, თქვენი მკაფიო ნებართვებით.
Contact Now