- 660 ნმ LED -

5050FRC-66L / 14

0.2W SMD LED 5050 3 ჩიპი 660nm LED არის ღრმა წითელი შუქის გამოსხივებული დიოდი, რომელიც ფართოდ გამოიყენება სილამაზის ინდუსტრიაში, მცენარეთა ზრდაში, სინათლის დანამატში ან სხვა სპეციალურ პროგრამებში. 660nm LED- ის ღირებულების გამო, ეს წითელი LED არ არის ძალიან პოპულარული LED განათების პროექტში ან LED ნათურაში. ამასთან, 660 ნმ LED კვლავ პოპულარული ხდება, რადგან ის მოქმედებს. შეადარეთ ხვრელიანი LED– ს 660nm– ით, 660nm SMD LED– ს უკეთესი შესრულება ექნება სითბოს გაფრქვევაზე. მეორეს მხრივ, SMD LED– მა ასევე მიიღო უფრო მცირე ზომა, ვიდრე ხვრელიანი LED, რაც უფრო ადვილია PCB დაფისა და ავტომატური შედუღების აპარატისთვის. როგორც ვიცით, 5050 SMD LED– ში სამი პოზიციაა. Ამიტომ 5050 SMD LED კორპუსი შეიძლება შეფუთული იყოს 3 ჩიპში. ზოგიერთი პროექტისთვის მხოლოდ ერთი ჩიპი შეიძლება ვერ მიაღწიოს ამ მოთხოვნას. იმისათვის, რომ გავზარდოთ გამოსხივება და რადიაცია ერთ LED– ზე, ჩვენ ამას გავაფორმებთ 3 იგივე LED ჩიპით 5050 SMD LED– ით, რათა მივაღწიოთ უფრო ძლიერ გამოსხივებას ან სიკაშკაშეს. არსებობს სახის LED ჩიპი, რომელიც შეიძლება შეფუთული იყოს ერთ 5050 SMD LED– ში, რომელიც შეიძლება იყოს 3 განსხვავებული ჩიპი ან 3 იგივე ჩიპი. ეს მთლიანად თქვენს მოთხოვნებზეა გათვლილი. თუ ერთი 660 ნმ LED ჩიპი ვერ აკმაყოფილებს თქვენს მოთხოვნას, ეს იმედი არ გაგიცრუებთ. ერთიანი სინათლის გამომუშავება, ხანგრძლივი ცხოვრების მყარი მდგომარეობის საიმედოობა და დაბალი ენერგიის მოხმარება ამ 3 ჩიპის 660 ნმ SMD LED უპირატესობას წარმოადგენს. დაგვიკავშირდით ამის შესახებ მეტი ინფორმაციისთვის

- განზომილების პარამეტრები -

ეს SMD LED კორპუსი ასევე ხელმისაწვდომია IR LED, UV LED, Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED ect.

- ფერის ასხივება -

- ელექტრული პარამეტრები -

აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგი Ta = 25 At -ზე

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	180mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	60mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

ოპტიკური და ელექტრო მახასიათებლები (T c = 25 ℃)

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8	1.9	2.3	V	IF=60mA
		1.9	2.1	2.4	V	IF=180mA
		2.0	2.2	2.5	V	IF=300mA
Luminous Intensity	ΦVI	2.7		3.8	lm	IF=60mA
		9		13	lm	IF=180mA
		12		18	lm	IF=300mA
Lumiuous Power	PO	35		55	mw	IF=60mA
		120		180	mw	IF=180mA
		200		300	mw	IF=300mA
Peak Wavelength	λP	655	660	665	nm	IF=60mA
Dominant Wavelenth	λd	640	645		nm	IF=60mA
Half Width	Dl		17		nm	IF=60mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=60mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- ოქროს მავთულის კავშირი -

- შეფუთვა -

* ჩვენ ვაკუუმური შეფუთვით შევფუთავთ მას შემდეგ, რაც ფირს გავაფენთ

- განცხადება -

- დაკავშირებული წითელი LED -

- წარმოება -

- 660nm SMD LED გამოყენება -