- 660nm ki ap dirije -

5050FRC-66L / 14

0.2W SMD ki ap dirije 5050 3-chips 660nm ki ap dirije se yon gwo twou san fon limyè wouj emisyon dyòd, ki lajman ki itilize nan endistri bote, kwasans plant, sipleman limyè, oswa kèk lòt aplikasyon espesyal. Paske nan pri a nan 660nm ki ap dirije, sa yo wouj ki ap dirije yo pa trè popilè nan ki ap dirije pwojè ekleraj oswa ki ap dirije lanp. Sepandan, 660nm dirije toujou ap resevwa popilè paske li nan efè. Konpare ak ki ap dirije nan twou a ak 660nm, 660nm SMD ki ap dirije pral gen yon pi bon pèfòmans sou dissipation nan chalè. Nan lòt men an, SMD ki ap dirije tou te resevwa yon gwosè ki pi piti pase nan-twou ki ap dirije, ki se pi fasil anfòm ak tablo PCB ak machin soude otomatik yo. Kòm nou konnen, gen twa pozisyon nan 5050 SMD ki ap dirije. Se konsa, sa 5050 SMD ki ap dirije ka pake nan 3 bato andedan. Pou kèk pwojè, jis yon sèl chip pa ta ka rive jwenn egzijans sa a. Yo nan lòd yo ogmante pwodiksyon an ak radyasyon sou yon sèl ki ap dirije, nou pral pake sa a ak 3 menm chip dirije nan 5050 SMD ki ap dirije yo rive jwenn pi fò radyasyon oswa klète. Gen kalite chip ki ap dirije ka pake nan yon sèl 5050 SMD ki ap dirije, ki ka 3 chip diferan oswa 3 menm chip. Li nan totalman jiska kondisyon ou. Si yon sèl 660nm dirije chip pa ka satisfè kondisyon ou, yon sèl sa a pa pral kite ou desepsyon. Inifòm pwodiksyon limyè, long lavi fyab eta solid ak konsomasyon pouvwa ki ba yo tout avantaj sa a 3 bato 660nm SMD ki ap dirije. Kontakte nou pou plis detay sou li ~

- Dimansyon Paramèt-

Sa yo ka SMD ki ap dirije yo disponib tou pou IR ki ap dirije, UV ki ap dirije, Blue SMD ki ap dirije, Wouj SMD ki ap dirije, Amber ki ap dirije ect.

- Emèt Koulè -

- Paramèt elektrik -

Evalyasyon maksimòm absoli nan Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	180mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	60mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Karakteristik optik ak elektrik ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8	1.9	2.3	V	IF=60mA
		1.9	2.1	2.4	V	IF=180mA
		2.0	2.2	2.5	V	IF=300mA
Luminous Intensity	ΦVI	2.7		3.8	lm	IF=60mA
		9		13	lm	IF=180mA
		12		18	lm	IF=300mA
Lumiuous Power	PO	35		55	mw	IF=60mA
		120		180	mw	IF=180mA
		200		300	mw	IF=300mA
Peak Wavelength	λP	655	660	665	nm	IF=60mA
Dominant Wavelenth	λd	640	645		nm	IF=60mA
Half Width	Dl		17		nm	IF=60mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=60mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Golden Koneksyon Fil -

- Anbalaj -

* Nou pake li ak procesna vakyòm apre kasèt li kòm yon bobin

- Aplikasyon -

- Ki gen rapò Wouj ki ap dirije -

- Pwodiksyon -

- 660nm SMD dirije Itilize -