- 940nm જોકે-હોલ IRLED -

જુદા જુદા કોણ વિવિધ લાઇટિંગ પરિણામ બનાવશે, બીમની પહોળાઈ જેટલી વધુ પહોળાઈ હશે, કિરણોત્સર્ગનું વધુ અંતર. તેનાથી વિપરીત, વિશાળ બીમની પહોળાઈ, વિશાળ લાઇટિંગ સપાટી વિસ્તાર. તમારી પસંદગી માટે બેસ્ટ એલઇડી ફેક્ટરીમાં જોવાનાં એંગલનાં ઘણા પ્રકારો છે જેથી તમે તમારી એપ્લિકેશન માટે તેમાંથી કોઈપણ પસંદ કરી શકો. માર્કેટમાં, મોટાભાગના લોકો નાઇટ વિઝન કેમેરા માટે 850nm એલઇડી અથવા 940nm એલઇડીનો ઉપયોગ કરે છે. પછી તમે આશ્ચર્ય પામી શકો છો, શું તે 810nm એલઇડી આ માટે કામ કરી શકશે નહીં? ટ્રસ્ટની વાત એ છે કે, આ 810nm એલઈડીનો ઉપયોગ ફક્ત નાઇટ વિઝન ડિવાઇસમાં જ નહીં, પણ 850nm એલઇડી કરતા પણ સારી રીતે થઈ શકે છે. જે 850nm એલઇડી બદલી શકે છે અને લોકોને ચહેરાની ઓળખ ઉમેરી શકે છે. બધા થ્રો-હોલ એલઇડીની જેમ, આ 810nm ઇન્ફ્રારેડ એલઇડી લેમ્પ્સમાં પણ તમારી પસંદગી માટે પ્રકારનો દેખાવ છે: 5 ડિગ્રી 810nm એલઇડી, 20 ડિગ્રી 810nm એલઇડી, 30 ડિગ્રી 810nm એલઇડી, 60 ડિગ્રી 810nm એલઇડી, 90 ડિગ્રી 810nm એલઇડી ઇસીટી. સામાન્ય રીતે, 940nm એલઇડી 5 એમએમ થ્રુ-હોલ એલઇડી કદ અથવા અન્ય એસએમડી એલઇડી કેસ સાથે પેક કરવામાં આવશે. પરંતુ કેટલાક પ્રોજેક્ટ માટે, રેડિએટિંગ ક્ષેત્ર વધારવા માટે લોકોને મોટા લેન્સનો ઉપયોગ કરવો પડશે. શું તમને વધુ સ્પર્ધાત્મક ભાવ સાથે કેટલાક 810nm એલઇડીની જરૂર છે? હવે અમારો સંપર્ક કરો!

- 3 મીમી આઇઆર થ્રો-હોલ એલઇડીનું કદ -

* આ કેસ અન્ય એલઇડી માટે પણ ઉપલબ્ધ છે, જેમ કે: 5 મીમી લીલો થ્રો-હોલ એલઇડી, યુવી એલઇડી, 660nm એલઇડી, 940nm એલઇડી, 5 મીમી વાદળી થ્રો-હોલ એલઇડી, પીળો એલઇડી, એમ્બર એલઇડી ઇસીટી *

- થ્રુ-હોલ આઇઆર એલઇડી દ્વારા કામ કરવું -

* ફોટામાં રંગો ક cameraમેરા દ્વારા લેવામાં આવ્યા હતા, કૃપા કરીને વાસ્તવિક ઉત્સર્જનનો રંગ ધોરણ તરીકે લો.

- થ્રુ-હોલ આઇઆર એલઇડી પરિમાણ -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			30	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector Dark Current	ICEO			150	uA	VCE=70V Ee=0mw/cm2
On State Collector Current	IC(on)		0.7	4	mA	Ee=1mw/cm2 Vce=5v
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	85			V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	8.2			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.3	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	300		400	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	500		600	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	2000		3000	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		940		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	700		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

* એલઈડીની દરેક લાંબી આયુ રાખવા માટે, બેસ્ટલેડ ફેક્ટરી અંદરના સર્કિટ કનેક્શન માટે ઉચ્ચ શુદ્ધ સોનાના તારનો ઉપયોગ કરે

- આઈઆર એલઇડી પેકિંગ -

* અમે આ એલઇડીને સંખ્યાબંધ પેકેજોથી પેક કરી શકીએ છીએ અને તમારી જરૂરિયાત મુજબ એલઇડી પિનને ટેપ કરી શકીએ છીએ.

- સંબંધિત ઇન્ફ્રારેડ એલઇડી -

- ઉત્પાદન પ્રક્રિયા -

- ટી હroughર-હોલ આઇઆર એલઇડી -