- LED de 660 nm -

5050FRC-66L / 14

0,2W SMD LED 5050 3-chips 660nm LED é un diodo emisor de luz vermella profunda, que é amplamente utilizado na industria de beleza, crecemento de plantas, suplementos de luz ou algunhas outras aplicacións especiais. Debido ao custo do LED de 660 nm, estes LED vermellos non son moi populares no proxecto de iluminación LED ou na lámpada LED. Non obstante, o LED de 660 nm aínda está a ser popular porque ten efecto. Comparar co LED de orificio pasante con 660nm, o LED SMD de 660nm terá un mellor rendemento na disipación de calor. Por outra banda, o LED SMD tamén ten un tamaño menor que o LED de orificios pasantes, que é máis fácil de encaixar coa placa PCB e a máquina de soldar automática. Como sabemos, hai tres posicións en 5050 LED SMD. Así que A caixa LED 5050 SMD pode empaquetarse en 3 chips no seu interior. Para algúns proxectos, só un chip pode non alcanzar ese requisito. Para aumentar a saída e a radiación nun LED, empaquetarémolo con 3 mesmos chip LED en 5050 LED SMD para acadar unha radiación ou brillo máis fortes. Hai tipos de chip LED que se poden empaquetar nun LED 5050 SMD, que pode ser 3 chip diferente ou 3 mesmo chip. É totalmente á túa medida. Se un único chip LED de 660 nm non pode cumprir as súas necesidades, este non che deixará decepcionar. A saída de luz uniforme, a fiabilidade de estado sólido de longa duración e o baixo consumo de enerxía son a vantaxe deste LED SMD de 3 chips de 660 nm. Póñase en contacto connosco para obter máis detalles ao respecto ~

- Parámetros de dimensión-

Estas caixas LED SMD tamén están dispoñibles para LED IR, LED UV, LED SMD azul, LED SMD vermello, LED ámbar ect.

- Emisión de cor -

- Parámetros eléctricos -

Valoracións máximas absolutas en Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	180mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	60mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Características ópticas e eléctricas ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8	1.9	2.3	V	IF=60mA
		1.9	2.1	2.4	V	IF=180mA
		2.0	2.2	2.5	V	IF=300mA
Luminous Intensity	ΦVI	2.7		3.8	lm	IF=60mA
		9		13	lm	IF=180mA
		12		18	lm	IF=300mA
Lumiuous Power	PO	35		55	mw	IF=60mA
		120		180	mw	IF=180mA
		200		300	mw	IF=300mA
Peak Wavelength	λP	655	660	665	nm	IF=60mA
Dominant Wavelenth	λd	640	645		nm	IF=60mA
Half Width	Dl		17		nm	IF=60mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=60mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Conexión Golden Wire -

- Embalaxe -

* Envasámolo con envasado ao baleiro despois de gravalo como bobina

- Solicitude -

- LED vermello relacionado -

- Produción -

- Uso LED SMD de 660nm -