- 660nm LED -

5050FRC-66L / 14

0,2 W: n SMD LED 5050 3-siruinen 660nm LED on syväpunainen valoa lähettävä diodi, jota käytetään laajalti kauneusteollisuudessa, kasvien kasvussa, valonlisäyksessä tai muissa erityissovelluksissa. 660nm LED: n kustannusten vuoksi nämä punaiset LEDit eivät ole kovin suosittuja LED-valaistusprojekteissa tai LED-lampuissa. Kuitenkin 660 nm: n LED on yhä suosittu, koska se on tehokas. Verrattuna 660 nm: n läpimenevään LEDiin, 660 nm: n SMD-LED saa paremman suorituskyvyn lämmöntuottoon. Toisaalta, SMD LED sai myös pienemmän koon kuin läpireikä LED, joka on helpompi sovittaa piirilevyyn ja automaattiseen hitsauskoneeseen. Kuten tiedämme, 5050 SMD-LEDillä on kolme asentoa. Jotta 5050 SMD LED-kotelo voidaan pakata 3 siruun sisälle. Joissakin projekteissa vain yksi siru ei välttämättä pysty täyttämään tätä vaatimusta. Yhden LEDin tehon ja säteilyn lisäämiseksi pakkaamme tämän kolmella samalla LED-sirulla 5050 SMD LEDiin vahvemman säteilyn tai kirkkauden saavuttamiseksi. On olemassa erilaisia ​​LED-siruja, jotka voidaan pakata yhteen 5050 SMD-LEDiin, joka voi olla 3 erilaista sirua tai 3 samaa sirua. Se on täysin sinun vaatimuksesi mukainen. Jos yksi yksittäinen 660nm LED-siru ei pysty täyttämään vaatimustasi, tämä ei anna sinun pettää. Tasainen valoteho, pitkäikäinen kiinteän tilan luotettavuus ja pieni virrankulutus ovat kaikki tämän 3 sirun 660nm SMD-LEDin etu. Ota yhteyttä saadaksesi lisätietoja ~

- Dimension Parameters-

Näitä SMD-LED-koteloita on saatavana myös IR-LEDille, UV-LEDille, siniselle SMD-LEDille, punaiselle SMD-LEDille ja Amber-LEDille.

- Värin säteily -

- Sähköparametrit -

Absoluuttiset maksimiarvot Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	180mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	60mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Optiset ja sähköiset ominaisuudet ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.8	1.9	2.3	V	IF=60mA
		1.9	2.1	2.4	V	IF=180mA
		2.0	2.2	2.5	V	IF=300mA
Luminous Intensity	ΦVI	2.7		3.8	lm	IF=60mA
		9		13	lm	IF=180mA
		12		18	lm	IF=300mA
Lumiuous Power	PO	35		55	mw	IF=60mA
		120		180	mw	IF=180mA
		200		300	mw	IF=300mA
Peak Wavelength	λP	655	660	665	nm	IF=60mA
Dominant Wavelenth	λd	640	645		nm	IF=60mA
Half Width	Dl		17		nm	IF=60mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=60mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- Kultainen johdinliitäntä -

- Pakkaus -

* Pakkaamme sen tyhjiöpakkauksella teipin jälkeen kelaksi

- Sovellus -

- Liittyvä punainen LED -

- Tuotanto -

- 660nm SMD-LED-käyttö -