- IRLED de 940 nm de forat

Un angle diferent farà que la il·luminació sigui diferent, com més ampla sigui la feixa, més distància de radiació serà més llarga. Per contra, l’amplada del feix més gran, la superfície d’il·luminació més gran. Hi ha tipus d’angle de visió a la millor fàbrica de LED per triar perquè pugueu triar qualsevol d’ells per a la vostra aplicació. Al mercat, la majoria de la gent utilitza el LED de 850 nm o el LED de 940 nm per a la càmera de visió nocturna. Aleshores us podeu preguntar, és que el LED de 810 nm no pot funcionar per a això? La confiança és que aquests LED de 810 nm no només es poden utilitzar en dispositius de visió nocturna, sinó que també poden funcionar millor que els LED de 850 nm. Que pot substituir el LED de 850 nm i afegir reconeixement facial a la gent. Igual que tots els LED de forat passant, aquestes làmpades d'infrarojos de 810nm també tenen tipus de visualització per a la vostra elecció: LED de 5 graus 810nm, LED de 20 graus 810nm, 30 graus 810nm LED, 60 graus 810nm LED, 90 graus 810nm LED ect. Normalment, el LED de 940 nm s’envasarà amb una mida de LED de forat passant de 5 mm o una altra caixa LED SMD. Però per a alguns projectes, la gent ha d’utilitzar lents més grans per augmentar la superfície radiant. Necessiteu uns LED de 810 nm amb un preu més competitiu? Poseu-vos en contacte amb nosaltres ara!

- Mida de LED de forat passant IR de 3 mm -

* Aquest estoig també està disponible per a altres LED, com ara: LED de 5 mm de forat verd, UV de LED, 660 nm de LED, 940 nm de LED, LED de 5 mm de forat de pas, LED de color groc, LED d’ambre ect *

- LED IR travessant del forat -

* Els colors de la foto es van prendre amb la càmera. Si us plau, prengueu el color emissor real de sèrie.

- Paràmetre LED IR forat -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			30	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector Dark Current	ICEO			150	uA	VCE=70V Ee=0mw/cm2
On State Collector Current	IC(on)		0.7	4	mA	Ee=1mw/cm2 Vce=5v
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	85			V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	8.2			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.3	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	300		400	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	500		600	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	2000		3000	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		940		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	700		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

* Per mantenir totes les llargues durades de vida dels LED, la fàbrica BestLED utilitza filferro d’or pur pur per a la connexió del circuit interior

- Embalatge LED IR -

* Podem empaquetar aquest LED amb qualsevol nombre de paquets i gravar o doblar els pins LED segons el vostre requisit.

- LED d'infrarojos relacionats -

- Procés de producció -

- LED IR IR de forat -